Эта публикация цитируется в 4 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Исследование локальной плотности состояний в самоформирующихся островках GeSi/Si(001) методом комбинированной сканирующей туннельной/атомно-силовой микроскопии

П. А. Бородин^a, А. А. Бухараев^a, Д. О. Филатов^b, М. А. Исаков^b, В. Г. Шенгуров^b, В. Ю. Чалков^b, С. А. Денисов<sup>b

a</sup> Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского, КазНЦ РАН
^b Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород

Аннотация: Методом комбинированной сканирующей туннельной/атомно-силовой микроскопии впервые исследована локальная плотность состояний в самоформирующихся наноостровках GeSi/Si(001). Получены токовые изображения и туннельные спектры индивидуальных островков GeSi/Si(001), отражающие соответственно пространственное и энергетическое распределение локальной плотности состояний в островках GeSi. Данные туннельной спектроскопии показывают, что поверхностные островки Ge$_{0.3}$Si$_{0.7}$/Si(001) проявляют свойства гетероструктур I типа.

Поступила в редакцию: 14.07.2010
Принята в печать: 26.07.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:3, 403–407

Реферативные базы данных:

•