Эта публикация цитируется в 3 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Влияние гидрогенизации на электрофизические свойства эпитаксиальных структур Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te

В. С. Варавин, Г. Ю. Сидоров, М. О. Гарифуллин, А. В. Вишняков, Ю. Г. Сидоров

Институт физики полупроводников СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Исследовано явление гидрогенизации пленок Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te. Гидрогенизация осуществлялась путем кипячения пленок Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te в деионизованной воде либо с помощью электрохимических обработок. Установлено, что при контакте с водными средами в пленки вводятся акцепторные центры, концентрация которых может превышать 10$^{17}$ см$^{-3}$. Показано, что вводятся два типа акцепторов на основе водорода: быстрые и медленные, оценены их коэффициенты диффузии. Обнаружено, что часть водорода после обработок присутствует в электрически неактивном виде и может активироваться при дальнейшем хранении либо при прогревах. После активации концентрация дырок может достигать 10$^{18}$ см$^{-3}$. Обсуждается влияние pH среды на скорость введения водорода в материал.

Поступила в редакцию: 18.08.2010
Принята в печать: 25.08.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:3, 397–402

Реферативные базы данных:

•