А. А. Алтухов, А. Л. Вихарев, А. М. Горбачёв, М. П. Духновский, В. Е. Земляков, К. Н. Зяблюк, А. В. Митенкин, А. Б. Мучников, Д. Б. Радищев, А. К. Ратникова, Ю. Ю. Федоров, “Исследование свойств монокристаллического алмаза, выращенного из газовой фазы на подложках из природного алмаза”, Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 3,страницы 403

Эта публикация цитируется в 10 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Исследование свойств монокристаллического алмаза, выращенного из газовой фазы на подложках из природного алмаза

А. А. Алтухов^a, А. Л. Вихарев^b, А. М. Горбачёв^b, М. П. Духновский^c, В. Е. Земляков^c, К. Н. Зяблюк^a, А. В. Митенкин^a, А. Б. Мучников^b, Д. Б. Радищев^b, А. К. Ратникова^c, Ю. Ю. Федоров^c

^a ПТЦ "УралАлмазИнвест", г. Москва
^b Институт прикладной физики РАН, г. Нижний Новгород
^c Государственное научно-производственное предприятие "Исток", г. Фрязино, Московская обл.

Аннотация: Представлены результаты исследований выращивания монокристаллических слоев алмаза с ориентацией (100) на подложках из природного алмаза типа IIa и получения полупроводникового алмаза при легировании слоев бором методом ионной имплантации. Найден оптимальный режим восстановления алмаза после имплантации путем отжига, обеспечивающий подвижность ионов, равную 1150 см$^2$/(В $\cdot$ с), наибольшую из получаемых в полупроводниковом алмазе с ионной имплантацией.

Поступила в редакцию: 14.07.2010
Принята в печать: 25.08.2010