Эта публикация цитируется в 37 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Гетероструктуры HgCdTe на подложках Si(310) для инфракрасных фотоприемников средневолнового спектрального диапазона

М. В. Якушев, Д. В. Брунев, В. С. Варавин, В. В. Васильев, С. А. Дворецкий, И. В. Марчишин, А. В. Предеин, И. В. Сабинина, Ю. Г. Сидоров, А. В. Сорочкин

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Представлены результаты исследований процессов роста твердых растворов HgCdTe на подложках из кремния диаметром до 100 мм методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Определены оптимальные условия получения гетероструктур HgCdTe/Si(310) приборного качества для спектрального диапазона 3–5 мкм. Представлены результаты измерений и обсуждение фотоэлектрических параметров инфракрасного фотоприемника форматом 320 $\times$ 256 элементов с шагом 30 мкм на основе гибридной сборки матричного фоточувствительного элемента с кремниевым мультиплексором. Показана высокая стабильность параметров фотоприемника к термоциклированию от комнатной температуры до температуры жидкого азота.

Поступила в редакцию: 05.08.2010
Принята в печать: 26.08.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:3, 385–391

Реферативные базы данных:

•