Эта публикация цитируется в 6 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Оптимизация конфигурации симметричной трехбарьерной резонансно-туннельной структуры как активного элемента квантового каскадного детектора

Н. В. Ткач, Ю. А. Сети

Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича

Аннотация: В модели прямоугольных потенциалов и различных эффективных масс электрона в ямах и барьерах открытой трехбарьерной резонансно-туннельной структуры с одинаковыми внешними барьерами развита теория и выполнен расчет динамической проводимости, возникающей из-за взаимодействия электромагнитного поля с проходящими сквозь структуру электронами. На примере трехбарьерной резонансно-туннельной структуры с ямами In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As и барьерами In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As показано, что независимо от геометрических размеров потенциальных ям и барьеров существует три геометрические конфигурации (положения внутреннего барьера относительно внешних), при которых наносистема как активный элемент обеспечивает оптимальный режим работы квантового каскадного детектора.

Поступила в редакцию: 14.07.2010
Принята в печать: 26.07.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:3, 376–384

Реферативные базы данных:

•