RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 3, страницы 379–386 (Mi phts8491)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Физика полупроводниковых приборов

Солнечные элементы конструкции LGCell из мультикристаллического кремния. Применение обработки атомарным водородом

Г. Г. Унтилаa, Т. Н. Костa, А. Б. Чеботареваa, М.Э. Белоусовa, В. А. Самородовa, А. Ю. Поройковa, М. А. Тимофеевa, М. Б. Заксb, А. М. Ситниковb, О. И. Солодухаb

a Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д. В. Скобельцына
b Научно-производственная фирма "Кварк", 350000 Краснодар, Россия

Аннотация: Впервые получены солнечные элементы конструкции Laminated Grid Cell (LGCell) из мультикристаллического нетекстурированного кремния (mc-Si), эффективность которых составила 15.9%. Исследовано влияние обработки $(n^+pp^+)$-mc-Si структур атомарным водородом, генерированным горячей нитью и СВЧ плазмой. Гидрогенизация увеличивает параметры кривых, характеризующие зависимость напряжения холостого хода от интенсивности излучения, и длинноволновую (длина волны $\lambda$ = 1000 нм) чувствительность солнечного элемента на 10–20%, что свидетельствует о пассивации дефектов mc-Si. Гидрогенизация со стороны эмиттера вызывает увеличение последовательного сопротивления солнечного элемента, уменьшение коротковолновой (длина волны $\lambda$ = 400 нм) чувствительности на 30–35%, а также появление пика кислорода в энергодисперсионных спектрах (EDS). Эти эффекты устраняются тонким подтравливанием эмиттера.

Поступила в редакцию: 08.06.2010
Принята в печать: 22.06.2010


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:3, 369–375

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026