А. В. Васин, П. Н. Охолин, И. Н. Веровский, А. Н. Назаров, В. С. Лысенко, К. И. Холостов, В. П. Бондаренко, Y. Ishikawa, “Исследование процесса карбонизации и окисления пористого кремния методами спектроскопии комбинационного рассеяния света и ИК-спектроскопии”, Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 3,страницы 360

Эта публикация цитируется в 14 статьях

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Исследование процесса карбонизации и окисления пористого кремния методами спектроскопии комбинационного рассеяния света и ИК-спектроскопии

А. В. Васин^a, П. Н. Охолин^a, И. Н. Веровский^a, А. Н. Назаров^a, В. С. Лысенко^a, К. И. Холостов^b, В. П. Бондаренко^b, Y. Ishikawa^c

^a Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
^b Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, 220013 Минск, Белоруссия
^c Japan Fine Ceramics Center, 456-8587 Nagoya, Japan

Аннотация: Слои пористого кремния были получены методом электрохимического травления пластин монокристаллического кремния с удельным сопротивлением 10 Ом $\cdot$ см в водно-спиртовом растворе плавиковой кислоты. Методами спектроскопии комбинационного рассеяния света и спектроскопии поглощения в инфракрасном диапазоне исследованы процессы взаимодействия пористого кремния с неразбавленным ацетиленом при низкой температуре и окисления карбонизированного пористого кремния парами воды. Установлено, что уже при температуре 550$^\circ$C на поверхности пор образуются кремний-углеродные связи и формируется графитоподобный углеродный конденсат. Показано, что углеродный конденсат препятствует процессу окисления пористого кремния парами воды и способствует гашению белой фотолюминесценции в нанокомпозитном слое окисленного карбонизированного пористого кремния.

Поступила в редакцию: 05.08.2010
Принята в печать: 25.08.2010