RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 3, страницы 343–347 (Mi phts8486)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Структура и свойства малых кластеров оксидов переходных 3$d$-элементов

А. В. Попов

Алтайский государственный технический университет им. И. И. Ползунова

Аннотация: Представлены результаты вычислений параметров равновесных структур малых кластеров оксидов переходных 3$d$-элементов. Расчеты выполнены неограниченным по спину методом Хартри–Фока. Обсуждаются свойства наиболее стабильных структур, т. е. обладающих наименьшими значениями полных энергий из всех полученных.

Поступила в редакцию: 30.03.2010
Принята в печать: 14.07.2010


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:3, 333–337

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026