Эта публикация цитируется в 1 статье

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Структуры кремний-на-изоляторе с азотированным захороненным слоем SiO$_2$: метод создания и свойства

И. Е. Тысченко, В. П. Попов

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Исследованы электрофизические свойства структур кремний-на-изоляторе с имплантированным ионами азота захороненным слоем SiO$_2$ в зависимости от дозы и энергии ионов N$^+$. Показано, что имплантация ионов азота дозами $>$ 3 $\cdot$ 10$^{15}$ см$^{-2}$ с энергией 40 кэВ приводит к уменьшению фиксированного положительного заряда в окисле и уменьшению плотности поверхностных состояний в 2 раза. Усиление эффекта может быть достигнуто путем снижения энергии ионов азота. Полученные результаты объясняются взаимодействием атомов азота с избыточными атомами кремния вблизи границы раздела Si/SiO$_2$ и удалением связей Si–Si, являющихся ловушками положительных зарядов, а также насыщением оборванных связей на границе сращивания структуры кремний-на-изоляторе.

Поступила в редакцию: 02.08.2010
Принята в печать: 25.08.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:3, 325–332

Реферативные базы данных:

•