RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 3, страницы 322–325 (Mi phts8482)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Механизмы прохождения тока в контактах Au–CdTe с модифицированной поверхностью

В. П. Махний, Н. В. Скрипник

Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича

Аннотация: Исследованы обратные вольт-амперные характеристики поверхностно-барьерных диодов на основе $n$-CdTe с модифицированной поверхностью, полученной обработкой в водном растворе солей щелочных металлов. Установлено, что обратный ток при низких смещениях имеет туннельную природу, а при больших обусловлен лавинным умножением носителей в результате ударной ионизации.

Поступила в редакцию: 18.08.2010
Принята в печать: 25.08.2010


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:3, 312–315

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026