Аннотация:
Исследованы обратные вольт-амперные характеристики поверхностно-барьерных диодов на основе $n$-CdTe с модифицированной поверхностью, полученной обработкой в водном растворе солей щелочных металлов. Установлено, что обратный ток при низких смещениях имеет туннельную природу, а при больших обусловлен лавинным умножением носителей в результате ударной ионизации.
Поступила в редакцию: 18.08.2010 Принята в печать: 25.08.2010