RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 3, страницы 312–315 (Mi phts8480)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Особенности слоев аморфного кремния, полученных методом стимулированного плазмой осаждения из газовой фазы, содержащей четырехфтористый кремний

Ю. С. Вайнштейн, О. И. Коньков, А. В. Кукин, О. С. Ельцина, Л. В. Беляков, О. М. Сресели, Е. И. Теруков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Слои гидрогенизированного аморфного кремния с кристаллическими наночастицами получены методом плазмохимического осаждения из газовой фазы с добавлением тетрафторсилана в газовую смесь. Исследована кинетика фотолюминесценции слоев и фотоэлектрические свойства структур на их основе. Структуры характеризуются значительной эффективностью фотоответа в видимой области спектра, причем положение максимума спектра фотоответа зависит от приложенного смещения.

Поступила в редакцию: 24.06.2010
Принята в печать: 02.07.2010


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:3, 302–305

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026