Эта публикация цитируется в 1 статье

Электронные свойства полупроводников

Влияние температуры на электронные спектры в области края собственного поглощения CdGa$_2$Se$_4$

Т. Г. Керимова, Р. А. Гулиев

Институт физики Академии наук Азербайджана, AZ-1143 Баку, Азербайджан

Аннотация: Приводятся результаты исследования температурной зависимости коэффициента поглощения CdGa$_2$Se$_4$ в поляризованном излучении в интервале 5–300 K и интенсивности излучения при 4.2–77 K. Наблюдаемые изменения поляризационной зависимости коэффициента поглощения и интенсивности излучения с понижением температуры объясняются различной скоростью движения состояний вершины валентной зоны $\Gamma_3+\Gamma_4$ и $\Gamma_2$ при изменениях тетрагонального сжатия.

Поступила в редакцию: 19.08.2010
Принята в печать: 14.09.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:3, 292–294

Реферативные базы данных:

•