RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 3, страницы 299–302 (Mi phts8477)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Электронные свойства полупроводников

Разогрев носителей заряда и выпрямление тока на несимметричном $p$$n$-переходе в сверхвысокочастотном электромагнитном поле

М. Г. Дадамирзаевab

a Наманганский инженерно-педагогический институт, 716003 Наманган, Узбекистан
b Физико-технический институт Академии наук Республики Узбекистан, 700084 Ташкент, Узбекистан

Аннотация: Эдс горячих носителей заряда $U_{\mathrm{oc}}$, генерируемая на несимметричном $p$$n$-переходе в сверхвысокочастотном электромагнитном поле, несмотря на то что температура электронов гораздо выше, чем дырок, определяется горячими дырками. Установлено, что напряжение холостого хода определяется температурой тех носителей, которые определяют полный ток через $p$$n$-переход.

Поступила в редакцию: 20.07.2010
Принята в печать: 20.07.2010


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:3, 288–291

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026