Эта публикация цитируется в 3 статьях

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

О механизмах образования дефектов в слитках карбида кремния политипа 4H

Д. Д. Авров^a, А. В. Булатов^a, С. И. Дорожкин^a, А. О. Лебедев^b, Ю. М. Таиров^a, А. Ю. Фадеев<sup>a

a</sup> Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Методами оптической микроскопии и рентгеновской дифрактометрии исследованы особенности дефектной структуры слитков карбида кремния политипа 4H различного диаметра, выращиваемых модифицированным методом Лели на затравках с отклонениями в несколько градусов от точной ориентации (0001)С в направлении $\langle11\bar20\rangle$ (off-cut (0001) seeds). Наблюдаемые в кристаллах полосы скольжения, вытянутые вдоль $[11\bar20]$, соответствуют вторичной системе скольжения прорастающих дислокаций $a/3\langle11\bar20\rangle$ $\{\bar1100\}$ для кристаллов с гексагональной плотнейшей упаковкой. Малоугловые дислокационные границы, направленные вдоль $[1\bar100]$, аккомодируют разориентацию соседних доменов, возникающую вследствие их взаимного разворота вокруг оси [0001]. Разращивание кристаллов приводит к некоторому увеличению плотности дислокаций, главным образом за счет прорастающих краевых дислокаций. Средняя плотность микропор лежит в диапазоне 5–20 см$^{-2}$ и практически не изменяется при увеличении размера слитков.

Поступила в редакцию: 30.06.2010
Принята в печать: 05.07.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:3, 277–283

Реферативные базы данных:

•