Эта публикация цитируется в 16 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Кристаллизация пленок аморфного гидрогенизированного кремния с применением фемтосекундных лазерных импульсов

В. А. Володин^ab, А. С. Качко<sup>a

a</sup> Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
^b Новосибирский государственный университет

Аннотация: Для кристаллизации пленок гидрогенизированного аморфного кремния на стеклянных подложках было использовано излучение титан-сапфирового лазера с длительностью импульсов $<$ 30 фс. Исходные пленки выращивались с применением метода плазмохимического осаждения при температурах 200 и 250$^\circ$C. Структурные свойства исходных и обработанных импульсами лазерного излучения пленок были исследованы с помощью метода спектроскопии комбинационного рассеяния света. Найдены режимы полной кристаллизации пленок на стекле с толщинами до 100 нм, содержащих до 20 ат% водорода, с хорошей однородностью при сканирующих обработках. Обнаружено, что при содержании водорода в пленках 30–40 ат% процесс кристаллизации неоднороден, наблюдается лазерная абляция некоторых областей пленок.

Поступила в редакцию: 14.07.2010
Принята в печать: 14.07.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:2, 265–270

Реферативные базы данных:

•