Эта публикация цитируется в 5 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Рентгеноспектральный микроанализ гетероструктур с наноразмерными слоями

Т. Б. Попова, Л. А. Бакалейников, Е. Ю. Флегонтова, А. А. Шахмин, М. В. Заморянская

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Описана методика рентгеноспектрального микроанализа для диагностики полупроводниковых гетероструктур с наноразмерными слоями. Рассмотрены особенности анализа таких структур по сравнению со слоистыми структурами с большей характерной толщиной слоев и однородными образцами. Возможности метода проиллюстрированы на примере определения состава слоев в светодиодных и лазерных гетероструктурах с квантовыми ямами InGaAs и ZnCdSe. Применение предложенной методики позволило определить состав и глубину залегания наноразмерных слоев квантовых ям в исследованных образцах с точностью не хуже 10%. Приведено сравнение результатов микроанализа с данными других методов, получено хорошее согласие.

Поступила в редакцию: 15.06.2010
Принята в печать: 22.06.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:2, 260–264

Реферативные базы данных:

•