RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 2, страницы 256–262 (Mi phts8470)

Эта публикация цитируется в 11 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Влияние перегрева $p$$n$-перехода на деградацию мощных импульсных кремниевых лавинно-пролетных диодов

А. Е. Беляевa, В. В. Басанецb, Н. С. Болтовецb, А. В. Зоренкоb, Л. М. Капитанчукc, В. П. Кладькоa, Р. В. Конаковаa, Н. В. Колесникb, Т. В. Коростинскаяb, Т. В. Крицкаяb, Я. Я. Кудрикa, А. В. Кучукa, В. В. Миленинa, А. Б. Атаубаеваa

a Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
b Научно-исследовательский институт "Орион", Киев
c Институт электросварки им. Е. О. Патона НАН Украины

Аннотация: Приведена оценка тепловых ограничений в импульсном режиме работы двухдрейфового лавинно-пролетного диода 8-миллиметрового диапазона длин волн с мощностью генерации до 30–35 Вт. Показано, что при длительности рабочего импульса 300 нс и амплитуде тока питания 11.3–15 A перегрев $p$$n$-перехода относительно окружающей среды составляет 270–430$^\circ$C. Определена граничная температура перегрева перехода, равная 350$^\circ$C, выше которой лавинно-пролетные диоды интенсивно деградируют. Приведены результаты рентгенофазового анализа и профили распределения компонентов в омических контактах Au–Pt–Ti–Pd–Si, подтверждающие тепловые ограничения в импульсном режиме работы лавинно-пролетного диода.

Поступила в редакцию: 14.07.2010
Принята в печать: 14.07.2010


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:2, 253–259

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026