RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 2, страницы 245–250 (Mi phts8468)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Ширина спектра лазерной генерации в лазерах на квантовых точках: аналитический подход

А. В. Савельевab, М. В. Максимовac, А. Е. Жуковac

a Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195220 Санкт-Петербург, Россия
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Разработан аналитический подход к описанию широких спектров лазерной генерации в лазерах на основе квантовых точек. Показано, что ширина спектра определяется тремя параметрами: шириной спектра усиления, величиной однородного уширения и эффективным параметром насыщения усиления. В результате зависимость ширины спектра лазерной генерации от выходной мощности носит универсальный характер и может быть описана зависимостью от одного безразмерного параметра.

Поступила в редакцию: 10.06.2010
Принята в печать: 22.06.2010


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:2, 241–247

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026