Эта публикация цитируется в 4 статьях

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Оптическая генерация свободных носителей заряда в тонких пленках оксида олова

И. А. Журбина, О. И. Цетлин, В. Ю. Тимошенко

Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова

Аннотация: Методами инфракрасной спектроскопии поглощения и комбинационного рассеяния света исследованы нанокристаллические пленки SnO$_x$ (1 $\le x\le$ 2), полученные термическим окислением слоев металлического олова. В инфракрасном диапазоне обнаружено монотонное уменьшение пропускания пленок после воздействия на них при комнатной температуре светом с длиной волны 380 нм. Эффект был максимальным для образцов с $x\approx$ 2 и наблюдался в течение $\sim$10 мин после прекращения освещения. Указанные изменения оптических свойств, аналогичные наблюдаемым при нагреве образцов, объясняются увеличением концентрации свободных носителей заряда (электронов) в нанокристаллах диоксида олова. Из данных инфракрасной спектроскопии по модели Друде рассчитаны концентрации фотогенерируемых носителей заряда, они составили $\sim$10$^{19}$ см$^{-3}$, а также найдены их изменения в процессе освещения и после его прекращения. Обсуждаются механизмы наблюдаемой фотогенерации носителей заряда в пленках SnO$_x$, а также возможные применения данного эффекта в газовых сенсорах.

Поступила в редакцию: 01.07.2010
Принята в печать: 09.07.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:2, 236–240

Реферативные базы данных:

•