Эта публикация цитируется в 9 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Сравнительный анализ радиационного воздействия на электролюминесценцию кремния и SiGe/Si(001)-гетероструктур с самоформирующимися наноостровками

З. Ф. Красильник^a, К. Е. Кудрявцев^a, А. Н. Качемцев^b, Д. Н. Лобанов^a, А. В. Новиков^a, С. В. Оболенский^c, Д. В. Шенгуров<sup>a

a</sup> Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^b Научно-исследовательский институт измерительных систем имени Ю. Е. Седакова
^c Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: Выполнены исследования влияния радиационного воздействия нейтронами на электролюминесценцию кремниевого $p$–$i$–$n$-диода, содержащего многослойную гетероструктуру Ge/Si с самоформирующимися наноостровками. Диоды с наноостровками Ge(Si) продемонстрировали более высокую радиационную стойкость сигнала электролюминесценции от них по сравнению с объемным кремнием, что связывается с пространственной локализацией носителей заряда в наноструктурах Ge/Si. Пространственная локализация носителей заряда препятствует их диффузии к радиационным дефектам и последующей безызлучательной рекомбинации на них. Полученные результаты указывают на возможность использования гетероструктур Ge/Si с самоформирующимися наноостровками для разработки радиационно стойких оптоэлектронных устройств.

Поступила в редакцию: 05.08.2010
Принята в печать: 16.08.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:2, 225–229

Реферативные базы данных:

•