Эта публикация цитируется в 8 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Частотные и температурные зависимости вольт-фарадных характеристик светоизлучающих структур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами

О. А. Солтанович^a, Н. М. Шмидт^b, Е. Б. Якимов<sup>a

a</sup> Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Проведены исследования частотной зависимости вольт-фарадных характеристик светоизлучающих структур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами в диапазоне частот 60 Гц–5 МГц и интервале температур 77–300 K. Показано, что при всех температурах измеренные вольт-фарадные характеристики зависят от частоты. При этом уменьшение частоты тестового сигнала приводит к таким же изменениям в вольт-фарадных характеристиках, что и повышение температуры измерений. Обнаружено, что для каждой температуры в исследованном диапазоне частот достигается предельная низкочастотная вольт-фарадная характеристика. Показано, что низкочастотные вольт-фарадные характеристики, измеренные при разных температурах, с хорошей точностью совпадают. Процесс достижения равновесия зарядов в активной области, вероятнее всего, определяется туннелированием носителей через барьеры.

Поступила в редакцию: 24.06.2010
Принята в печать: 01.07.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:2, 221–224

Реферативные базы данных:

•