Эта публикация цитируется в 4 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Отношение дырочного и электронного обменных интегралов в полумагнитной структуре с квантовыми точками CdMnSe/ZnSe

И. И. Решина, С. В. Иванов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: В полумагнитной структуре с самоорганизованными квантовыми точками CdMnSe/ZnSe путем измерения спектров фотолюминесценции и резонансного рамановского рассеяния в сильных магнитных полях до 6 Тл в геометрии Фарадея и Фойгта обнаружено увеличение в 1.5 раза отношения обменных интегралов валентной зоны и зоны проводимости по сравнению с известным значением для объемного образца CdMnSe. Этот эффект интерпретируется как уменьшение в основном обменного интеграла зоны проводимости вследствие снятия запрета с механизма кинетического $s$–$d$ обмена в низкоразмерных структурах.

Поступила в редакцию: 05.08.2010
Принята в печать: 16.08.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:2, 215–220

Реферативные базы данных:

•