Эта публикация цитируется в 2 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Экситоны в одиночных и двойных гетеровалентных квантовых ямах GaAs/AlGaAs/ZnSe/Zn(Cd)MnSe

А. А. Торопов, В. Х. Кайбышев, Я. В. Терентьев, С. В. Иванов, П. С. Копьев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследованы экситонные спектры фотолюминесценции, возбуждения фотолюминесценции и магнитофотолюминесценции одиночных (GaAs/AlGaAs/ZnMnSe) и двойных (GaAs/AlGaAs/ZnSe/ZnCdMnSe) гетеровалентных квантовых ям, изготовленных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Показано, что спектр экситонного поглощения таких квантовых ям в основных чертах воспроизводит резонансный спектр экситонов, ожидаемый для обычных изовалентных квантовых ям с аналогичными параметрами, тогда как процесс излучательной рекомбинации экситонов демонстрирует существенные отличия: существует добавочный механизм локализации, определяемый дефектами, генерируемыми гетеровалентным интерфейсом. Природа этих центров локализации в настоящее время не выяснена, однако их наличие приводит к уширению линий фотолюминесценции и увеличению стоксова сдвига между пиками люминесценции и поглощения, а также обусловливает изменение магнитного $g$-фактора связанных экситонных комплексов.

Поступила в редакцию: 22.06.2010
Принята в печать: 29.06.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:2, 208–214

Реферативные базы данных:

•