Эта публикация цитируется в 10 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Ширина линии фотолюминесценции от самоформирующихся островков Ge(Si), заключенных между напряженными Si-слоями

М. В. Шалеев^a, А. В. Новиков^ab, Н. А. Байдакова^ab, А. Н. Яблонский^a, О. А. Кузнецов^c, Д. Н. Лобанов^a, З. Ф. Красильник<sup>a

a</sup> Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
^c Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород

Аннотация: Исследовано влияние толщин напряженных Si-слоев, температуры измерения и мощности оптического возбуждения на ширину пика фотолюминесценции от самоформирующихся наноостровков Ge(Si), выращенных на релаксированных буферных слоях SiGe/Si (001) и заключенных между напряженными Si-слоями. Показано, что путем изменения толщин напряженных Si-слоев над и под островками можно как уменьшать, так и увеличивать ширину линии фотолюминесценции островков Ge(Si). За счет учета диффузионного размытия напряженного слоя Si над островками достигнуто уменьшение ширины пика фотолюминесценции от островков Ge(Si) до значений, сравнимых с шириной пика фотолюминесценции от структур с квантовыми точками на основе прямозонных полупроводников InAs/GaAs.

Поступила в редакцию: 08.06.2010
Принята в печать: 22.06.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:2, 198–202

Реферативные базы данных:

•