RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 8, страницы 1498–1501 (Mi phts846)

Краткие сообщения

Исследование времени жизни неосновных носителей в узкозонной области диодных InGaAsP/InP-структур

А. Т. Гореленок, В. В. Мамутин, Д. В. Пуляевский, Д. Н. Рехвиашвили, Н. М. Шмидт




© МИАН, 2026