Т. Т. Мнацаканов, М. Е. Левинштейн, А. Г. Тандоев, С. Н. Юрков, “Модуляционные волны носителей заряда в полупроводниковых слоях $n$- и $p$-типа”, Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 2,страницы 196

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Модуляционные волны носителей заряда в полупроводниковых слоях $n$- и $p$-типа

Т. Т. Мнацаканов^a, М. Е. Левинштейн^b, А. Г. Тандоев^a, С. Н. Юрков^a

^a Всероссийский электротехнический институт им. В. И. Ленина
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследовано влияние зависимости подвижности носителей заряда от напряженности электрического поля $\mu(F)$ на распространение волн инжектированных носителей в слоях $n$- и $p$-типа в квазинейтральном дрейфовом режиме. Показано, что учет зависимости $\mu(F)$ по-разному влияет на движение неосновных носителей в слоях $n$- и $p$-типа. Движение волны электронов в $p$-базе $p^+$–$p$–$n^+$-структуры замедляется, а движение волны дырок в $n$-базе $p^+$–$n$–$n^+$-структуры убыстряется. Полученные результаты дополняют предложенное ранее классическое описание распространения волны неосновных носителей заряда, не учитывавшее эффект зависимостей $\mu(F)$. Результаты аналитического расчета подтверждены с помощью численного эксперимента.

Поступила в редакцию: 24.06.2010
Принята в печать: 25.06.2010