Эта публикация цитируется в 8 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Релаксация потенциала поверхности полупроводника в МДП структуре при наличии конвективных токов в диэлектрике и через его границы

С. Г. Дмитриев

Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН

Аннотация: Метод Берглунда для определения релаксации потенциала полупроводниковой поверхности структуры металл-диэлектрик-полупроводник при изменении напряжения на структуре справедлив только в отсутствие конвективных токов в диэлектрике. В данной работе предложен метод определения релаксации потенциала при наличии конвективных токов. Кроме того, рассматриваются токи, возникающие в структуре благодаря изменению разности контактного потенциала при вариации температуры.

Поступила в редакцию: 29.03.2010
Принята в печать: 24.06.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:2, 188–191

Реферативные базы данных:

•