Эта публикация цитируется в 11 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Определение плотности поверхностных состояний границы раздела полупроводник–диэлектрик в МДП структуре

Г. Гулямов^a, Н. Ю. Шарибаев<sup>ab

a</sup> Наманганский инженерно-педагогический институт, 116003 Наманган, Узбекистан
^b Наманганский инженерно-экономический институт, 116003 Наманган, Узбекистан

Аннотация: Исследована временна́я зависимость термической генерации электронов из заполненных поверхностных состояний границы раздела полупроводник-диэлектрик в МДП структуре. Установлено, что при низких температурах производная по энергии от вероятности опустошения заполненных поверхностных состояний является $\delta$-функцией Дирака. Показано, что плотность состояний конечного числа дискретных энергетических уровней при высокотемпературных измерениях проявляется как сплошной спектр, а при низких температурах как дискретный. Предложена методика обработки сплошного спектра плотности поверхностных состояний, которая позволяет определить дискретный энергетический спектр. Полученные результаты могут способствовать повышению разрешающей способности метода нестационарной спектроскопии поверхностных состояний.

Поступила в редакцию: 17.02.2010
Принята в печать: 18.05.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:2, 174–178

Реферативные базы данных:

•