RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 2, страницы 173–177 (Mi phts8455)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Фотовольтаические свойства интерфейсов органической пленки замещенного перилена с поверхностью TiO$_2$ и SnO$_2$

А. С. Комолов, Э. Ф. Лазнева, С. А. Комолов, И. С. Бузин, М. В. Зимина

Санкт-Петербургский государственный университет, физический факультет

Аннотация: Фотовольтаический эффект обнаружен и исследован в структурах на основе сверхтонких вакуумно-осажденных органических пленок 3,4,9,10-тетра-диангидрид карбоксильной кислоты перилена на поверхности диоксидов титана и олова. Методом низкоэнергетической электронной спектроскопии полного тока проведены исследования формы интерфейсного потенциального барьера в исследованных структурах. Изменение потенциала поверхности при освещении в оптическом диапазоне регистрировалось in situ методом электронного зонда с помощью падающего пучка электронов с энергией в диапазоне от 0 до 25 эВ. Фотопотенциал обнаружен при энергиях падающего кванта 1.5–2.5 эВ, что соответствует области поглощения органической пленки и одновременно области прозрачности диоксидов титана и олова. Анализ спектральных распределений и переходных характеристик показал возможность различить 2 компонента наблюдаемого фотопотенциала. Обсуждается взаимосвязь одного из компонент с возбуждением межзонных переходов в органической пленке, а другого – с электронными переходами с участием интерфейсных энергетических состояний.

Поступила в редакцию: 22.06.2010
Принята в печать: 29.06.2010


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:2, 169–173

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026