Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Фотоэлектрические и люминесцентные свойства хлорида серебра, легированного диспрозием

Г. Ф. Новиков^a, Е. В. Рабенок^a, К. В. Бочаров^a, Н. В. Личкова^b, О. В. Овчинников^c, А. Н. Латышев<sup>c

a</sup> Институт проблем химической физики Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия
^b Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН
^c Воронежский государственный университет

Аннотация: Методами СВЧ фотопроводимости и фотолюминесценции исследовано влияние легирования диспрозием на фотоэлектрические и люминесцентные свойства кристаллов AgCl. Легирование изменяло как кинетику гибели фотогенерированных электронов, так и спектры люминесценции и параметры фотостимулированной вспышки люминесценции. Показано, что за новую полосу люминесценции с максимумом при 470 нм, проявляющуюся при массовых концентрациях легирующей добавки $>$ 10$^{-6}$%, ответственны заряженные, [Dy$^{\bullet\bullet}_{\mathrm{Ag}}$ $\cdot$ $V'_{\mathrm{Ag}}]^\bullet$, или нейтральные, [Dy$^{\bullet\bullet}_{\mathrm{Ag}}$ $\cdot$ 2$V'_{\mathrm{Ag}}]^x$, ассоциаты. Длинноволновое плечо при 570 нм в спектрах люминесценции отнесено к внутрицентровым переходам в ионах Dy$^{3+}$. Оценена константа скорости реакции захвата электрона в ловушки, образующиеся при введении легирующей добавки, $k_t$ = (3–5) $\cdot$ 10$^{-8}$ см$^3$ $\cdot$ с$^{-1}$. Предполагается, что ловушками являются ионы диспрозия Dy$^{3+}$.

Поступила в редакцию: 14.07.2010
Принята в печать: 26.07.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:2, 162–168

Реферативные базы данных:

•