Эта публикация цитируется в 3 статьях

Электронные свойства полупроводников

Асимметрия фотоотклика кристаллов CdZnTe

А. В. Бут, В. П. Мигаль, А. С. Фомин

Национальный аэрокосмический университет им. Н. Е. Жуковского "Харьковский авиационный институт"

Аннотация: Показано, что преобразование фотоэлектрических характеристик сенсоров на основе кристаллов Cd$_{1-x}$Zn$_x$Te ($x$ = 0.05–0.15) в параметрические спектральные, $I(\lambda)-dI/d\lambda$, кинетические, $I(t)-dI/dt$, и динамические, $U-I(\Delta y)_{f,\lambda}$, сигнатуры ($I(\lambda)$ – фототок, $U$ – напряжение, $f$ – частота, $t$ – время, $y$ – координата) позволяет выявить интегративные особенности фотоотклика, обусловленные его асимметрией и нелинейностью. Предложены показатели асимметрии и сбалансированности динамических и энергетических фотоиндуцированных состояний, которые системно отображают влияние многомасштабных полей на фотоэлектронные процессы. С их помощью определены диапазоны внешних воздействий, при которых системные особенности фотоотклика сенсоров минимальны или максимальны, что позволяет повысить эффективность целенаправленного подбора и обработки сенсоров.

Поступила в редакцию: 08.06.2010
Принята в печать: 22.06.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:2, 153–157

Реферативные базы данных:

•