Б. А. Таиров, О. И. Ибрагимова, А. Г. Рагимов, Р. Бразис, “Проявление легких и тяжелых электронов в гальваномагнитных характеристиках монокристаллов $n$-Bi$_{0.88}$Sb$_{0.12}$, легированных Te”, Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 2,страницы 152

Эта публикация цитируется в 1 статье

Электронные свойства полупроводников

Проявление легких и тяжелых электронов в гальваномагнитных характеристиках монокристаллов $n$-Bi$_{0.88}$Sb$_{0.12}$, легированных Te

Б. А. Таиров^a, О. И. Ибрагимова^a, А. Г. Рагимов^a, Р. Бразис^b

^a Институт физики Азербайджанской национальной академии наук, Az-1143 Баку, Азербайджан
^b Институт физики полупроводников, LT-01108 Вильнюс, Литва

Аннотация: Измерены компоненты удельного электросопротивления $\rho_{ij}$, коэффициента Холла $R_{ijk}$ и магнетосопротивления $\rho_{ij,kl}$ монокристаллических образцов $n$-Bi$_{0.88}$Sb$_{0.12}$, легированных теллуром в концентрациях 0.01, 0.1, 0.2 ат% в интервале температур 77–300 K. Сделан вывод, что в явлениях переноса участвуют легкие и тяжелые электроны; найдено энергетическое расстояние между зонами легких и тяжелых электронов (40 мэВ), а также отношения эффективных масс ($m_2^*/m_1^*$ = 3), и подвижностей электронов ($b\approx$ 0.16).

Поступила в редакцию: 02.02.2010
Принята в печать: 02.07.2010