RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 2, страницы 149–151 (Mi phts8450)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Влияние отжига на электрические свойства монокристаллов PbTe, легированных таллием

Г. А. Ахмедова, Г. Дж. Абдинова, Д. Ш. Абдинов

Институт физики им. Г.М. Абдуллаева Национальной академии наук Азербайджана, AZ-1143 Баку, Азербайджан

Аннотация: Выяснено, что значения электрических параметров образцов монокристаллов PbTe и характер зависимости этих параметров от температуры и концентрации примеси Tl, а также тип проводимости кристаллов (знаки $\alpha$ и $R$) существенно определяются температурой предварительного их отжига. Это объясняется тем, что с ростом температуры отжига растет концентрация двукратно заряженных вакансий в подрешетке теллура, приводящей к увеличению вероятности образования электронейтральных или однократно заряженных комплексов типа примесный атом–вакансия.

Поступила в редакцию: 30.09.2009
Принята в печать: 23.06.2010


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:2, 145–147

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026