Эта публикация цитируется в 1 статье

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Распределение по энергии атомов отдачи и формирование радиационных дефектов в пленках карбида кремния при протонном облучении

А. М. Иванов^a, В. В. Козловский^b, Н. Б. Строкан^a, А. А. Лебедев<sup>a

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Проведено численное моделирование рассеяния протонов в пленке карбида кремния. Получены гистограммы распределения энергии, передаваемой атомам отдачи. При анализе гистограмм рассмотрены две области энергий. В первой области “малых” энергий создаются одиночные пары Френкеля с близко расположенными компонентами. Атомы отдачи второй области обладают энергией, достаточной для возникновения каскада смещений. В результате возникают микроскопические по объему области с высокой плотностью вакансий и различного рода их комплексов.

Поступила в редакцию: 07.06.2010
Принята в печать: 22.06.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:2, 141–144

Реферативные базы данных:

•