Эта публикация цитируется в 6 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Влияние нейтронного облучения и температуры отжига на электрофизические свойства и период решетки эпитаксиальных слоев нитрида галлия

В. М. Бойко^a, С. С. Веревкин^a, Н. Г. Колин^a, А. В. Корулин^a, Д. И. Меркурисов^a, А. Я. Поляков^b, В. А. Чевычелов<sup>a

a</sup> Физико-химический институт им. Л. Я. Карпова, Обнинский филиал
^b Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет", г. Москва

Аннотация: Рассмотрено влияние облучения большими флюенсами реакторных нейтронов ($\Phi$ = 1.5 $\cdot$ 10$^{17}$–8 $\cdot$ 10$^{19}$ см$^{-2}$) и последующих термообработок в интервале температур 100–1000$^\circ$C на электрофизические свойства и период решетки эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложке Al$_2$O$_3$.
Показано, что с ростом флюенса нейтронов до (1–2) $\cdot$ 10$^{18}$ см$^{-2}$ удельное электрическое сопротивление материала увеличивается до значений около 10$^{10}$ Ом $\cdot$ см за счет образовавшихся радиационных дефектов, а при дальнейшем увеличении флюенса удельное сопротивление, проходя через максимум, уменьшается до значений 2 $\cdot$ 10$^6$ Ом $\cdot$ см при 300 K, что объясняется появлением прыжковой проводимости по перекрытым оболочкам областей разупорядочения. Период решетки $\mathbf{c}$ с ростом флюенса нейтронов до 8 $\cdot$ 10$^{19}$ см$^{-2}$ увеличивается на 0.38% при практически неизменном параметре $\mathbf{a}$. Термообработка облученных образцов до 1000$^\circ$C не приводит к полному восстановлению периода решетки и электрофизических свойств материала.

Поступила в редакцию: 06.05.2010
Принята в печать: 11.06.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:1, 134–140

Реферативные базы данных:

•