В. П. Кузнецов, В. Б. Шмагин, М. Н. Дроздов, М. О. Марычев, К. Е. Кудрявцев, М. В. Кузнецов, Б. А. Андреев, А. В. Корнаухов, З. Ф. Красильник, “Зависимость концентрации ионизованных доноров от температуры эпитаксии для слоев Si : Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 1,страницы 132

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Зависимость концентрации ионизованных доноров от температуры эпитаксии для слоев Si : Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии

В. П. Кузнецов^ab, В. Б. Шмагин^b, М. Н. Дроздов^b, М. О. Марычев^c, К. Е. Кудрявцев^b, М. В. Кузнецов^a, Б. А. Андреев^b, А. В. Корнаухов^a, З. Ф. Красильник^b

^a Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
^b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^c Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: Исследована зависимость концентраций примеси Er и ионизованных доноров от температуры эпитаксии для слоев Si : Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии, до и после отжига. Слои $n$-Si : Er выращивались в интервале температур 400–800$^\circ$C и отжигались в атмосфере водорода при температуре 800$^\circ$C в течение 30 мин. Обсуждается возможная природа донорных центров.

Поступила в редакцию: 06.05.2010
Принята в печать: 18.05.2010