Эта публикация цитируется в 19 статьях

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Влияние дислокаций на процесс порообразования в монокристаллах $n$-InP(111)

Я. А. Сычикова^a, В. В. Кидалов^a, Г. А. Сукач<sup>b

a</sup> Бердянский государственный педагогический университет, 71118 Бердянск, Украина
^b Национальный университет биоресурсов и природопользования, 03041 Киев, Украина

Аннотация: При помощи растровой электронной микроскопии показано влияние дислокаций на механизм порообразования при электролитическом травлении монокристаллического InP. При изучении наноструктуры пористых слоев установлены особенности механизмов порообразования в образцах $n$-InP. Показано, что они обусловлены выходом дислокаций на поверхность (111) и ростом пор как вдоль поверхности, так и перпендикулярно ей. Произведен расчет плотности дислокаций в местах повышенной концентрации примеси.

Поступила в редакцию: 22.04.2010
Принята в печать: 07.05.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:1, 121–124

Реферативные базы данных:

•