Эта публикация цитируется в 19 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Электрон-электронное и спин-орбитальное взаимодействие в гетероструктурах InAs/AlSb с двумерным электронным газом

В. И. Гавриленко^a, С. С. Криштопенко^a, M. Goiran<sup>b

a</sup> Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^b Laboratoire National des Champs Magnetiques Intenses, 31400 Toulouse, France

Аннотация: Теоретически изучено влияние электрон-электронного взаимодействия на спектр двумерных электронных состояний в гетероструктурах InAs/AlSb (001) с покрывающим слоем GaSb с одной заполненной подзоной размерного квантования. Выполнены расчеты энергетического спектра двумерных электронов в приближении Хартри и Хартри–Фока. Показано, что обменное взаимодействие, приводя к уменьшению энергии электронов в подзонах, увеличивает расстояние между подзонами и величину спин-орбитального расщепления спектра во всем диапазоне значений концентрации электронов, при которых заполнена только нижняя подзона размерного квантования. Продемонстрирована нелинейная зависимость константы расщепления Рашбы при фермиевском волновом векторе от концентрации двумерных электронов.

Поступила в редакцию: 27.04.2010
Принята в печать: 18.06.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:1, 110–117

Реферативные базы данных:

•