Эта публикация цитируется в 5 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Температурно-зависимое экситонное поглощение в длиннопериодных структурах множественных квантовых ям In$_x$Ga$_{1-x}$As/GaAs

С. А. Ваганов, Р. П. Сейсян

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследована температурная зависимость края фундаментального поглощения длиннопериодных структур In$_x$Ga$_{1-x}$As/GaAs с различным числом квантовых ям в образцах с близким составом квантовых ям, шириной ям и периодом структуры. Экспериментальные результаты интерпретируются при помощи механизма экситон-поляритонного светопереноса с участием локализованных экситонов в ограниченных структурах с конечным числом квантовых ям. Обнаруженная низкотемпературная аномалия интегрального поглощения связывается с переизлучением резонансных локализованных экситонов вдоль конечной цепочки квантовых ям в отсутствие экситонного переноса. Получена экспериментальная оценка значения радиационного затухания экситона в одиночной квантовой яме. Продемонстрировано, что в области низких температур основной вклад в наблюдаемую ширину линии поглощения основного экситонного состояния уровней перехода тяжелой дырки определяется неоднородным уширением поля флуктуирующего потенциала, обусловленного композиционной неупорядоченностью твердого раствора. При низких температурах неоднородное уширение существенно превышает значения радиационного и нерадиационного истинного диссипативного затухания.

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:1, 103–109

Реферативные базы данных:

•