Эта публикация цитируется в 21 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Полупроводниковые гетероструктуры первого рода с непрямой зоной проводимости

Т. С. Шамирзаев

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Несмотря на огромное количество публикаций, посвященных изучению полупроводниковых гетероструктур, до последнего времени слабо изученными остаются полупроводниковые гетероструктуры I рода с основным электронным состоянием, принадлежащим непрямым ($X$ и $L$) минимумам зоны проводимости. В работе обсуждается возможность создания полупроводниковых гетероструктур I рода с электронными состояниями, принадлежащими непрямым минимумам зоны проводимости на основе полупроводниковых соединений A III–B V.

Поступила в редакцию: 20.05.2010
Принята в печать: 02.06.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:1, 96–102

Реферативные базы данных:

•