Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

О природе электролюминесценции в режиме пробоя при обратном смещении на длине волны 1.5 мкм для легированных эрбием кремниевых структур с $p$–$n$-переходом, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии

А. А. Ежевский, М. О. Марычев, А. В. Корнаухов, Д. О. Филатов, В. Г. Шенгуров

Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород

Аннотация: В выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии структурах Si/Si:Er/Si с $p$–$n$-переходом при обратном напряжении смещения в режиме пробоя экспериментально исследованы особенности электролюминесценции в диапазоне длин волн 0.9–1.65 мкм. В соответствии с результатами исследований предложена новая физическая модель, в которой возбуждение излучательных переходов в ближнем инфракрасном диапазоне обеспечивается рекомбинационными процессами для электронов, поступающих на соответствующие энергетические уровни в слое Si:Er за счет их туннелирования из валентной зоны $p^+$-слоя в электрическом поле обратно смещенного $p$–$n$-перехода. Предлагаемая модель качественно согласуется с основными известными результатами экспериментальных исследований.

Поступила в редакцию: 06.05.2010
Принята в печать: 18.05.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:1, 85–90

Реферативные базы данных:

•