Эта публикация цитируется в 7 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Влияние периферии контактов металл–полупроводник с барьером Шоттки на их электрофизические характеристики

Н. А. Торхов^a, В. А. Новиков<sup>b

a</sup> ОАО "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов", 634050 Томск, Россия
^b Томский государственный университет

Аннотация: При формировании контакта металл-полупроводник с барьером Шоттки (в виде пленки золота на поверхности арсенида галлия $p$- или $n$-типа проводимости) возникает встроенное в контакт электрическое поле $E_l$, распространяющееся вокруг контакта на расстояние $l$ (ореол), в десятки раз превышающее размеры области пространственного заряда. Это поле понижает электростатический потенциал $\varphi_{\mathrm{Au}}$ контакта на значительную величину $\varphi^*$. Размер ореола $l$ и величина понижения электростатического потенциала $\varphi^*$ в общем случае определяются величиной и знаком заряда в области пространственного заряда, которые зависят от диаметра $D$ контакта, а также концентрации и типа проводимости полупроводника. Для контактов с барьером Шоттки Au/$n$-GaAs уменьшение $D$ приводит к возрастанию роли периферии, что проявляется в увеличении $\varphi^*$, а также в уменьшении $\varphi_{\mathrm{Au}}$ и $l$. Для контактов Au/$p$-GaAs уменьшение $D$ приводит к уменьшению влияния периферии, что проявляется в уменьшении $\varphi^*$, увеличении $\varphi_{\mathrm{Au}}$ и $l$. Отсутствие области пространственного заряда в контактах МДП приводит к тому, что размер ореола $l$ и величина $\varphi^*$ не зависят от их диаметров.

Поступила в редакцию: 26.02.2010
Принята в печать: 15.03.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:1, 69–84

Реферативные базы данных:

•