Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

О максимальной толщине области пространственного заряда обратносмещенных $p^+$–$n$-переходов с положительной фаской

А. С. Кюрегян

Всероссийский электротехнический институт им. В. И. Ленина

Аннотация: Проведено численное моделирование двумерных распределений потенциала и напряженности электрического поля в краевых областях резко асимметричных обратносмещенных $p^+$–$n$-переходов с положительной фаской. Показано, что максимальная толщина области пространственного заряда $W_{nM}$ немонотонно зависит от угла $\theta$ между поверхностью фаски и плоскостью перехода: функция $W_{nM}(\theta)$ достигает максимума при значениях $\theta$, которые уменьшаются от 60$^\circ$ до 35$^\circ$ при увеличении параметра $Q_s/\varepsilon_s\varepsilon_0 E_{vM}$ от 0 до 0.02 (здесь $Q_s$ – плотность поверхностного заряда, $\varepsilon_s\varepsilon_0$ – абсолютная диэлектрическая проницаемость полупроводника, $E_{vM}$ – максимальная напряженность поля в области пространственного заряда $p^+$–$n$-перехода вдали от фаски). Полученные результаты могут быть полезными при проектировании высоковольтных тиристоров на основе Si, SiC и других материалов.

Поступила в редакцию: 24.03.2010
Принята в печать: 18.06.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:1, 66–68

Реферативные базы данных:

•