Эта публикация цитируется в 3 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Измерение скорости поверхностной рекомбинации и объемного времени жизни в пластинах Si по кинетике избыточного теплового излучения

В. В. Богатыренко^a, А. В. Зиновчук<sup>b

a</sup> Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
^b Житомирский государственный университет им. И. Франко Министерства образования и науки Украины, 10008 Житомир, Украина

Аннотация: Представлен бесконтактный, неразрушающий метод измерений рекомбинационных параметров (скорость поверхностной рекомбинации, объемное и эффективное время жизни свободных носителей) в пластинах Si. Метод основан на анализе кинетики релаксации избыточного теплового излучения пластины за краем собственного поглощения Si ($\lambda>$ 3 мкм) при возбуждении коротким лазерным импульсом с энергией кванта больше ширины запрещенной зоны Si. Представлены экспериментальные результаты для пластин толщиной 300 мкм и 2 мм, возбужденных лазерным излучением с длинами волн 0.96 и 1.06 мкм при температурах выше комнатной. Разделение поверхностной и объемной составляющих эффективного времени жизни проводится путем экстраполяции конечного участка кинетики релаксации избыточного теплового излучения до пересечения с координатной осью y.

Поступила в редакцию: 16.03.2010
Принята в печать: 29.04.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:1, 61–65

Реферативные базы данных:

•