Эта публикация цитируется в 5 статьях

Электронные свойства полупроводников

Вольт-амперные характеристики поликристаллов соединения ZnGa$_2$Se$_4$

Б. Г. Тагиев^a, О. В. Тагиев^ab, С. Г. Асадуллаева<sup>a

a</sup> Институт физики НАН Азербайджана, AZ-1143 Баку, Азербайджан
^b Филиал Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова в г. Баку, AZ-1143 Баку, Азербайджан

Аннотация: Вольт-амперные характеристики структуры In–ZnGa$_2$Se$_4$–In исследовались в интервале температур 90–335 K. На основании расчетных данных для концентрации трех типов ловушек носителей заряда в ZnGa$_2$Se$_4$ получены величины $N_t$ = 1.4 $\cdot$ 10$^{13}$, 8.2 $\cdot$ 10$^{12}$, 2.6 $\cdot$ 10$^{12}$ см$^{-3}$, определены прозрачность контактной области $D^*_k$ = 10$^{-5}$, скорость поверхностной рекомбинации $S_k$ = 0.65 м/с, время жизни носителей заряда $\tau$ = 1.5 $\cdot$ 10$^{-4}$ с. Установлено, что в электрических полях меньше 10$^3$ В/см механизм токопрохождения обусловлен монополярной инжекцией носителей заряда.

Поступила в редакцию: 25.02.2010
Принята в печать: 29.04.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:1, 52–55

Реферативные базы данных:

•