Электронные свойства полупроводников

Проводимость кристаллов Hg$_3$In$_2$Te$_6$ в сильных электрических полях

О. Г. Грушка, С. М. Чупыра, О. М. Мыслюк, С. В. Биличук, И. И. Заболоцкий

Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, 58000 Черновцы, Украина

Аннотация: Изучено влияние электрического поля и температуры на проводимость объемных кристаллов Hg$_3$In$_2$Te$_6$. Показано, что вольт-амперные характеристики в сильных электрических полях являются характеристиками $S$-типа с эффектом переключения в низкоомное состояние. Критическое напряжение перехода от закона Ома к экспоненциальной зависимости тока $(I)$ от напряжения $(U)$ и пороговое напряжение перехода в область отрицательного дифференциального сопротивления $dU/dI<$ 0 линейно зависят от толщины образца. Определены энергии активации проводимости в слабом и сильном электрических полях. Установлено, что сверхлинейный участок вольт-амперной характеристики с $dU/dI>$ 0 описывается зависимостью вида $I=I_0\exp(U/U_0)$ и обусловлен электронными переходами с локальных центров с энергетическим уровнем $E_t$ = 0.19 эВ.

Поступила в редакцию: 07.06.2010
Принята в печать: 22.06.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:1, 49–51

Реферативные базы данных:

•