Электронные свойства полупроводников

Термостимулированный переход между примесной и собственной проводимостями

М. М. Гаджиалиев, И. К. Камилов, З. Ш. Пирмагомедов

Институт физики им. Х. И. Амирханова ДНЦ РАН, 367003 Махачкала, Россия

Аннотация: Показано, что вдоль длины образца дырочного германия за счет большего градиента температуры можно реализовать стационарное во времени “соседство” областей примесной (дырочной) и собственной (электронной) проводимости, так называемый термостимулированный переход, способный выпрямлять переменный ток. Рассчитан “контактный” потенциал такого перехода.

Поступила в редакцию: 21.09.2009
Принята в печать: 19.06.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:1, 47–48

Реферативные базы данных:

•