Эта публикация цитируется в 2 статьях

Электронные свойства полупроводников

О резонансном донорном уровне в $n$-CdTe по данным об электронном транспорте при всестороннем давлении

М. И. Даунов, А. С. Ковалев, А. Ю. Моллаев, А. Б. Магомедов

Институт физики им. Х. И. Амирханова ДНЦ РАН, 367003 Махачкала, Россия

Аннотация: Представлены результаты количественного анализа экспериментальных данных о барических (при гидростатическом давлении до $P$ = 2.5 ГПа и $T$ = 300 K) и температурных (в температурном интервале 15–300 K при атмосферном давлении) зависимостей коэффициента Холла и электропроводности объемных кристаллов $n$-CdTe с концентрацией электронов 10$^{15}$–10$^{17}$ см$^{-3}$ при $T$ = 300 K. Использована четырехуровневая модель: глубокие донорные уровни, расположенные в запрещенной зоне и сплошном спектре зоны проводимости, и мелкие донорный и акцепторный уровни. Определено положение донорных уровней и коэффициенты давления энергетических промежутков между ними и краем зоны проводимости.

Поступила в редакцию: 06.05.2010
Принята в печать: 02.07.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:1, 43–46

Реферативные базы данных:

•