Эта публикация цитируется в 9 статьях

Электронные свойства полупроводников

Особенности механизма переноса заряда в слоистых монокристаллах Bi$_2$Te$_3$, легированных хлором и тербием

Н. А. Абдуллаев^a, Н. М. Абдуллаев^a, Х. В. Алигулиева^a, Т. Г. Керимова^a, Г. С. Мехдиев^a, С. А. Немов<sup>b

a</sup> Институт физики им. Г.М. Абдуллаева Национальной академии наук Азербайджана, AZ-1143 Баку, Азербайджан
^b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследованы температурные зависимости удельного сопротивления ($T$ = 5–300 K) в плоскости слоев и в направлении, перпендикулярном слоям, а также эффект Холла и магнитосопротивление ($H<$ 80 кЭ, $T$ = 0.5–4.2 K) в монокристаллах Bi$_2$Te$_3$, легированных хлором и тербием. Показано, что легирование Bi$_2$Te$_3$ атомами тербия оказывает акцепторное действие и приводит к увеличению концентрации дырок. Легирование атомами хлора меняет не только тип проводимости Bi$_2$Te$_3$ на $n$-тип, но и характер проводимости. В температурной зависимости удельного сопротивления в направлении, перпендикулярном слоям, возникает участок с активационной проводимостью, обусловленной прыжковой проводимостью по локализованным состояниям. Предложен механизм переноса заряда в монокристаллах Bi$_2$Te$_3$, легированных хлором.

Поступила в редакцию: 22.04.2010
Принята в печать: 17.05.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:1, 37–42

Реферативные базы данных:

•