Эта публикация цитируется в 1 статье

Электронные свойства полупроводников

Влияние $\gamma$-облучения на электрические свойства CuGaSe$_2$

И. Касумоглу, Т. Г. Керимова, И. А. Мамедова

Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, AZ-1143 Баку, Азербайджан

Аннотация: Исследовано влияние $\gamma$-облучения на проводимость низкоомных (10$^2$–10$^4$ Ом $\cdot$ см) и высокоомных (10$^5$–10$^7$ Ом $\cdot$ см) монокристаллов CuGaSe$_2$ в интервале температур 77–330 K. Обнаружено, что удельное сопротивление низкоомных образцов увеличивается с увеличением дозы $\gamma$-облучения, а высокоомных образцов практически не зависит от дозы облучения. Предполагается, что уменьшение проводимости в низкоомных образцах происходит за счет рассеяния свободных носителей на дефектах (заряженных центрах), созданных при облучении $\gamma$-квантами. Обнаружено, что доза gamma-облучения не влияет на температурную зависимость удельного сопротивления низкоомных и высокоомных образцов в интервале 77–330 K.

Поступила в редакцию: 30.03.2010
Принята в печать: 22.04.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:1, 30–32

Реферативные базы данных:

•